薄膜电容的"自愈"(Self-healing)指:当介质某点因过电压发生击穿时,击穿点周围的金属化层会瞬间蒸发气化,形成绝缘隔离区,电容恢复功能而不短路。这是薄膜电容的关键安全特性-﹣确保失效模式为开路而非短路,避免火灾或触电。
压敏电压(V1mA): 流过1mA直流电流时的端电压,决定压敏电阻开始导通的阈值 ,钳位电压(Vc):通过规定浪涌电流(如8/20μs波形)时的最大端电压 ,决定被保护器件承受的实际电压。选型原则:V1mA>电路正常工作电压峰值;Vc<被保护器件最大耐压。华铸产品数据手册提供完整参数曲线。
B值(B-Value)是NTC热敏电阻的材料常数,表示电阻值随温度变化的敏感度,计算公式为:
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B值越大,电阻随温度变化越剧烈。选型时:高B值适合需要快速响应的场合(如电源浪涌抑制);低B值适合宽温区测量应用。华铸提供B值范围2500K~4500K的多种规格。
SL:Ⅰ类陶瓷电容(温度补偿型),工作温度 -25℃~+85℃,容量变化率+100~-1000ppm/℃; Y5P:Ⅱ类陶瓷电容,工作温度 -25℃~+85℃,容量变化率 ±10%;Y5U(Ⅱ类):工作温度 -25℃~+85℃,容量变化率 +22%/-56%; Y5V(Ⅱ类):工作温度 -25℃~+85℃,容量变化率 +30%/-82% 。
ESR(等效串联电阻):越低,电容在高频下的发热越小,纹波电流承载能力越强。金属膜电容ESR通常比电解电容低1~2个数量级。 tanδ(损耗角正切):tanδ = ESR/Xc,反映能量损耗比例。tanδ越低,电容效率越高,温升越小。 华铸电子金属膜电容tanδ低至0.0005(1kHz),ESR<10mΩ,非常适合高频开关电源和精密滤波应用。
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